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莱迪思推出MachXO2 PLD系列为低成本低功耗设计树立了新的标准

2019年11月16日 栏目:时尚

- 减少了高达30%的成本,降低了100倍以上的功耗,为低密度PLD设计人员提供了令人鼓舞的新优点-中国北京- 2010年11月10日

- 减少了高达30%的成本,降低了100倍以上的功耗,为低密度PLD设计人员提供了令人鼓舞的新优点-

中国北京- 2010年11月10日 -莱迪思半导体公司(NASDAQ: LSCC)今天宣布推出其新的MachXO2 PLD系列,为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中前所未有的低成本,低功耗和高系统集成。嵌入式闪存技术采用了低功耗65纳米工艺,与MachXO PLD系列相比,MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器、降低了100倍以上的静态功耗并减少了高达30%的成本。此外,在低密度可编程器件应用中的一些常用的功能,如用户闪存(UFM)、I2C、SPI和定时器/计数器已固化到MachXO2器件中,为设计人员提供了一个适用于大批量、成本敏感设计的 全功能的PLD 。

观看MachXO2 PLD系列的视频演示可以访问:

英文- http://www.latticesemi.com/xo2videoen

中文 - http://www.latticesemi.com/xo2videocn

日文 - http://www.latticesemi.com/xo2videojp

MachXO2 PLD系列的图片可以在这里浏览和下载:

www.latticesemi.com/xo2images

通过65纳米嵌入式闪存技术的使用,为我们计算机,工业和电信基础设施市场的用户降低了成本,并增加了功能,同时为消费者设备的设计人员大大降低了功耗, 低密度和混合信号解决方案营销总监Gordon Hands说道。 许多早期用户已经在评估MachXO2器件,并在广泛的应用中用MachXO2器件进行设计。

三款器件选择提供了最大的设计灵活性

MachXO2系列提供了三种最大的灵活性选择。MachXO2 ZE器件拥有256到7K查找表(LUT),工作电源电压标称值为1.2V,并支持高达60MHz的系统性能。可提供低至19uW的功耗和小至2.5mmx2.5mm封装,MachXO ZE器件专为成本敏感、低功耗的消费类应用设计而优化,如智能电话、GPS和PDA等。

MachXO2 HC器件拥有256到7K查找表(LUT),工作电源电压标称值为3.3V或2.5V,并支持高达150MHz的系统性能。提供多达335个用户I/O和强大的设计解决方案(瞬时上电、非易失性、输入迟滞和单芯片),这些器件是控制型器件应用在终端市场的理想选择,如电信基础设施、计算、工业和医疗设备。

MachXO2 HE器件拥有2K到7K查找表(LUT),工作电源电压标称值为1.2V,并支持高达150MHz的系统性能。这些器件专为功耗敏感的系统应用而优化。

 

   

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